Схема замещения усилителя с оэ

схема замещения усилителя с оэ
Определить ток и падение напряжения нелинейной цепи можно аналитическим и графоаналитическим методами. Найдем входное сопротивление ОУ с ООС: Так как = i, из (2.25) следует = Конечное значение входного сопротивления отличает рассматриваемый ОУ от схемы рис. 2.18, а. При стабили­зации коэффициента усиления схема приближается по сво­им свойствам к источнику ЭДС, т.е. выходное сопротивле­ние снижается. Входное сопротивление полевого транзистора очень велико — порядка 1-10 МОм. Управление выходным током осуществляется с помощью напряжения на затворе.


Это сопротивление для мощных полевых транзисторов с изолированным затвором достигает долей Ома (0.5-2.0 Ома), что позволяет использовать их в качестве замкнутого ключа с весьма малым собственным сопротивлением канала. Схема замещения ключа на полевом транзисторе приведена на рис. 4.6,б. Область насыщения.В области насыщения ток стока полевого транзистора определяется выражением , (4.5) из которого следует его полная независимость от напряжения на стоке. Этот режим работы называют режим по постоянному току. Он характеризуется постоянным падением напряжения на компонентах, входимых в состав усилительного каскада. Если канал обогащён носителями зарядов, то он называется встроенным. Выбор между ними делается в зависимости от того, какие параметры для нас важны, а какими можно поступиться.Схема включения с общим эмиттером Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току (а отсюда и по мощности — до десятков тысяч единиц), в связи с чем является наиболее распространенной. Это приведет к увеличению эффективной ширины канала, сопротивление его уменьшится, ток будет возрастать.

Условное обозначение полевых транзисторов состоит из ряда букв и цифр. Электрическое поле затвора в этом случае приводит к обеднению канала носителями зарядов. Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и электроны, и дырки («бис» — дважды). А в полевом (он же униполярный) — или электроны, или дырки.Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Ныне при разработке аппарату­ры на ИМС разработчик стремится использовать готовые ИМС массового выпуска; именно такие ИМС обладают наи­меньшей стоимостью, их схемные решения тщательно про­работаны и обеспечивают высокие показатели работы ап­паратуры. При этом входной ток в цепи затвора будет определяться только тепловым обратным током p-n перехода.

Похожие записи: